SIE820DF-T1-GE3

Numri i pjesës së prodhuesit:	SIE820DF-T1-GE3
Prodhuesi:	Vishay / Siliconix
Pjesë e përshkrimit:	MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
Fletët e të dhënave:	SIE820DF-T1-GE3 Fletët e të dhënave
Statusi pa plumb / Statusi RoHS:	Pa plumb / në përputhje me RoHS
Gjendja e stokut:	Në magazinë
Anije Nga:	Hong Kong
Mënyra e dërgesës:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

VËREJTJE: Vishay / Siliconix SIE820DF-T1-GE3 është në dispozicion në chipnets.com. Ne shesim vetëm pjesë të reja dhe origjinale dhe ofrojmë 1 vit garanci. Nëse dëshironi të dini më shumë rreth produkteve ose të aplikoni çmime më të mira, ju lutemi na kontaktoni, klikoni në Chat Online ose na dërgoni një ofertë.

Të gjithë komponentët Eelctronics do të paketohen në mënyrë shumë të sigurt nga mbrojtja antistatike ESD.

package

Specifikim

Lloji	Përshkrim
Seria	TrenchFET®
Paketa	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Statusi i Pjesës	Obsolete
Lloji FET	N-Channel
Teknologji	MOSFET (Metal Oxide)
Kullimi në tensionin e burimit (Vdss)	20 V
Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)
Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Karikimi i Portës (Qg) (Maks.) @ Vgs	143 nC @ 10 V
Vgs (Maks.)	±12V
Kapaciteti i hyrjes (Ciss) (Maks.) @ Vds	4300 pF @ 10 V
Tipar FET	-
Shpërndarja e energjisë (maksimumi)	5.2W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura e punës	-55°C ~ 150°C (TJ)
Lloji i montimit	Surface Mount
Paketa e Pajisjes Furnizuese	10-PolarPAK® (S)
Paketa / Rasti	10-PolarPAK® (S)

OPSIONET E BLERJES

Statusi i aksioneve: 730

Minimumi: 1

sasi	Çmimi për njësi	Jashtë. Çmimi
Çmimi nuk është i disponueshëm, ju lutemi RFQ

Llogaritja e mallrave

40 dollarë amerikanë nga FedEx.

Mbërrin për 3-5 ditë

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Transporti falas në 0,5 kg të parë për porosi mbi 150$, Mbipesha do të tarifohet veçmas

Modele të njohura

Ky artikull është shtuar në shportën tuaj.