SIHJ7N65E-T1-GE3

Numri i pjesës së prodhuesit:	SIHJ7N65E-T1-GE3
Prodhuesi:	Vishay / Siliconix
Pjesë e përshkrimit:	MOSFET N-CH 650V 7.9A PPAK SO-8
Fletët e të dhënave:	SIHJ7N65E-T1-GE3 Fletët e të dhënave
Statusi pa plumb / Statusi RoHS:	Pa plumb / në përputhje me RoHS
Gjendja e stokut:	Në magazinë
Anije Nga:	Hong Kong
Mënyra e dërgesës:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

VËREJTJE: Vishay / Siliconix SIHJ7N65E-T1-GE3 është në dispozicion në chipnets.com. Ne shesim vetëm pjesë të reja dhe origjinale dhe ofrojmë 1 vit garanci. Nëse dëshironi të dini më shumë rreth produkteve ose të aplikoni çmime më të mira, ju lutemi na kontaktoni, klikoni në Chat Online ose na dërgoni një ofertë.

Të gjithë komponentët Eelctronics do të paketohen në mënyrë shumë të sigurt nga mbrojtja antistatike ESD.

package

Specifikim

Lloji	Përshkrim
Seria	-
Paketa	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Statusi i Pjesës	Active
Lloji FET	N-Channel
Teknologji	MOSFET (Metal Oxide)
Kullimi në tensionin e burimit (Vdss)	650 V
Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C	7.9A (Tc)
Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	598mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Karikimi i Portës (Qg) (Maks.) @ Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (Maks.)	±30V
Kapaciteti i hyrjes (Ciss) (Maks.) @ Vds	820 pF @ 100 V
Tipar FET	-
Shpërndarja e energjisë (maksimumi)	96W (Tc)
Temperatura e punës	-55°C ~ 150°C (TJ)
Lloji i montimit	Surface Mount
Paketa e Pajisjes Furnizuese	PowerPAK® SO-8
Paketa / Rasti	PowerPAK® SO-8

OPSIONET E BLERJES

Statusi i aksioneve: 3022

Minimumi: 1

sasi	Çmimi për njësi	Jashtë. Çmimi
Çmimi nuk është i disponueshëm, ju lutemi RFQ

Llogaritja e mallrave

40 dollarë amerikanë nga FedEx.

Mbërrin për 3-5 ditë

Express:(FEDEX, UPS, DHL, TNT)Transporti falas në 0,5 kg të parë për porosi mbi 150$, Mbipesha do të tarifohet veçmas

Modele të njohura

Ky artikull është shtuar në shportën tuaj.